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本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設備由機架、安瓿支撐機構、加熱器和控制系統組成，能夠實現安瓿移動和轉動的精確控制。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。